M3i-低饱和压降型 IGBT 分立器件
产品特性:
◆采用Trench+Fieldstop技术;
◆软开通特性,开通 di/dt 小,EMI 低;
◆低饱和压降,导通损耗小;
◆关断拖尾电流小,软关断特性;
◆正温度系数,适合并联;
◆高的短路电流能力(6us以上);
◆开关速度快,开关损耗小;
◆TVj max 达175℃;
Type | VCES (V) | IC nom (A) | VCE (sat) (V) | Ptot (W) | Eoff (mJ) | RthJC (℃/W) | Packages | PDF资料 |
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MM15GT120B | 1200 | 15 | 1.85 | 230 | 0.9 | 0.65 | TO-247 | 预览 下载 |
MM40G3T120B | 1200 | 40 | 1.90 | 405 | 2.8 | 0.37 | TO-247 | 预览 下载 |
MM25G3T120B | 1200 | 25 | 1.8 | 306 | 1.8 | 0.49 | TO-247 | 预览 下载 |
应用领域